MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术，以32G x 8的组织结构提供高密度数据存储。其核心卖点在于167MHz的高速时钟频率，配合并行接口实现了优异的数据传输速率，能满足对读写性能有较高要求的应用。
该器件工作电压为2.7V~3.6V，兼容宽压设计，工作温度范围为0°C~70°C，确保了在常规商业环境下的可靠性。它采用132球TBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适合自动化贴装生产。作为一款已停产的成熟产品，它代表了特定时期的高性能闪存解决方案，适用于需要大容量、非易失性存储的各类嵌入式系统和存储模块。
- 型号:MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
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