MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT

MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT是美光科技的一款高集成度存储器解决方案，采用137-TFBGA封装，在单芯片内整合了4Gb NAND闪存与4Gb移动LPDRAM。这种复合存储架构通过并联接口连接，旨在为空间受限的移动和嵌入式应用提供优化的存储子系统。

芯片工作电压为1.7V至1.95V，支持200MHz时钟频率，工作温度范围为-25°C至85°C。其核心价值在于通过多芯片封装技术，将非易失性存储与高速易失性内存物理结合，显著节省PCB面积并降低系统功耗，适用于对尺寸和能效有严格要求的设备。该产品目前已停产。

• 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:137-TFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:137-TFBGA
• 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
• 想获取MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料