MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和x8数据位宽组织。其核心卖点在于将大容量存储与高速访问相结合，支持高达100MHz的时钟频率，并能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，为系统设计提供了良好的电源兼容性。

该器件采用48-TFSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，符合商业级应用标准。其非易失性闪存特性确保了数据在断电后的持久保存，适用于需要可靠、大容量数据存储的各类嵌入式系统和消费电子设备。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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