MT29F256G08AMEBBH7-12:B是美光科技生产的一款256Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用152-TBGA封装，提供32G x 8位的存储组织架构，核心工作电压为2.7V至3.6V，时钟频率可达83MHz，确保了在商业温度范围（0°C至70°C）内稳定高效的数据存取性能。
作为一款大容量非易失性存储器，其核心卖点在于高存储密度与并行接口带来的数据带宽，适用于对存储空间和传输速率有明确要求的嵌入式系统设计。尽管产品状态已标注为停产，但其技术参数在同类历史产品中仍具参考价值，主要面向工业控制、网络设备及需要固件存储的各类电子应用。
- 型号:MT29F256G08AMEBBH7-12:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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