MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR

MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR是美光科技生产的一款大容量并行NAND闪存芯片，采用272-VFBGA封装。其核心卖点在于提供了高达1.125Tb（144GB）的存储容量，并支持333MHz时钟频率的并行接口，能够实现高速数据吞吐，满足对带宽要求苛刻的应用场景。

该芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，具备良好的电源适应性和商业级温度适应性。其非易失性闪存特性和表面贴装形式，使其非常适合集成到需要大容量、高性能数据存储的现代电子系统中，如企业存储和高端嵌入式设备。

• 制造商产品型号：MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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