MT29F2G08ABDHC-ET:D TR

MT29F2G08ABDHC-ET:D TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8位的存储结构。该器件工作电压为1.7V至1.95V，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和数据完整性。

芯片采用63-VFBGA紧凑型表面贴装封装，并提供卷带或剪切带包装，便于自动化生产。其核心特性在于提供了可靠的、中等密度的非易失性存储解决方案，适用于需要嵌入式数据存储的各种工业与消费电子应用。请注意，此产品目前已停产。

• 型号:MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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