MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR是美光科技推出的一款大容量、高性能并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供1.125Tb（144G x 8）的非易失性存储容量，其核心卖点在于结合了高存储密度与高速数据访问能力。

芯片支持高达333MHz的时钟频率，通过并联接口实现高带宽数据传输，工作电压范围为2.5V至3.6V。它采用272-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于需要可靠、高速大容量存储的商业级应用环境。

• 制造商产品型号：MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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