MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR是美光科技推出的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。该器件采用并行接口，提供高达1.125Tb（144GB）的存储容量，以x8位宽组织，专为需要处理海量数据流的应用而设计。

其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，确保在0°C至70°C的商业温度范围内稳定运行。作为一款非易失性存储器，它为核心数据存储提供了可靠的保障，特别适合集成到企业级存储解决方案和高带宽设备中。

• 制造商产品型号：MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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