MT40A1G8WE-083E IT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用1G x 8的存储组织架构和并联接口，核心数据速率高达2400 MT/s（对应时钟频率1.2GHz），能够为系统提供卓越的内存带宽性能，满足数据中心、高性能计算等应用的苛刻需求。
其在提供高性能的同时，也注重能效与可靠性。工作电压范围为1.14V至1.26V，有效降低了动态与静态功耗。产品采用78-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了在各类商业及工业环境中的稳定运行。其设计集成了包括片上终端电阻（ODT）在内的多项信号完整性增强特性。
- 型号:MT40A1G8WE-083E IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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