MT29F1T08EEHBFJ4-R:B

MT29F1T08EEHBFJ4-R:B是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用3D TLC NAND技术，以128G x 8位的内部结构，在紧凑的132-VBGA封装内实现了高密度数据存储，适用于对空间和容量有严格要求的应用设计。

其核心特性包括1.7V至1.95V的宽电压供电范围，有助于系统实现低功耗运行；商业级（0°C至70°C）的工作温度范围和表面贴装形式，确保了在各类电子设备中的可靠性与易用性。作为一款有源的非易失性存储器，它为需要大容量、稳定数据存储的解决方案提供了关键硬件支持。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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