MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用152引脚LBGA封装，提供128G x 8位的存储组织方式，其核心优势在于高存储密度与高速并行数据访问能力，时钟频率支持至167MHz。
它工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，兼容工业标准的3.3V逻辑电平，工作温度满足0°C至70°C的商业级应用环境。作为一款非易失性存储器，它适用于需要大容量、非易失数据存储且对数据传输带宽有要求的嵌入式系统与存储子系统。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
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