MT29F8G08ADADAH4:D TR是美光科技生产的一款8Gb（1G x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口，电压供电范围为2.7V至3.6V。该芯片以非易失性方式存储数据，封装于63-VFBGA内，采用表面贴装形式，包装为卷带（TR），便于规模化生产组装。
其核心卖点在于8位宽的并行数据接口，可直接与微处理器总线连接，简化了硬件设计复杂度。3V级别的供电使其能很好地融入主流嵌入式系统。需要注意的是，该产品系列状态已标记为停产，建议将其用于现有系统维护或对供应链有明确规划的设计项目。
- 型号:MT29F8G08ADADAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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