MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR是美光科技推出的一款1.5Tb大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心架构为192G x 8位组织，通过并联接口实现高速数据访问。

其关键性能参数包括高达333MHz的时钟频率，以及2.5V至3.6V的宽电压供电范围，这为系统设计带来了高性能与良好的电源适应性。该芯片采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于需要高密度、高可靠性存储解决方案的商业及工业应用环境。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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