MT47H1G4WTR-25E:C是美光科技生产的一款4Gb（1G x 4组织）DDR2 SDRAM芯片，属于易失性并行DRAM存储器。该器件采用63-FBGA表面贴装封装，核心工作电压为1.7V至1.9V，设计用于在0°C至85°C的温度范围内稳定工作。
其核心性能表现为400MHz的时钟频率，配合DDR2技术实现高效数据传输，访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns。这些参数使其能够为需要高速数据缓冲和处理的嵌入式系统、网络通信设备提供可靠的内存解决方案。
- 型号:MT47H1G4WTR-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-FBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT47H1G4WTR-25E:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
