MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR是美光科技生产的一款1.5Tb大容量NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率为333MHz，旨在提供高带宽的数据存储解决方案。其存储结构为192G x 8位，电压供应范围为2.5V至3.6V，兼容性良好。
该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业环境。其核心卖点在于将高密度存储与并行接口的高速度相结合，能够满足对存储容量和吞吐量有严苛要求的应用。需要注意的是，该产品目前已停产，选型时需关注库存与替代方案。
- 型号:MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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