M58LT256JSB8ZA6F TR是美光科技生产的一款256Mb容量、并行接口的NOR闪存芯片。它采用16位数据宽度（16M x 16）组织，提供高达52MHz的时钟频率和85ns的快速访问时间，支持高效的数据读取和代码直接执行。
该器件工作电压范围宽至1.7V~2.0V，兼容低功耗设计需求，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。其80-LBGA表面贴装封装适用于空间受限的嵌入式应用，为网络、工业控制及汽车电子等领域的固件存储提供了可靠的解决方案。
- 型号:M58LT256JSB8ZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
- 想获取M58LT256JSB8ZA6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
