M58WR064KB7AZB6E是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16）并行NOR闪存芯片，采用56-VFBGA封装。其核心优势在于高速的访问性能，支持66MHz时钟频率，访问时间与写周期时间均低至70ns，能够满足对实时性要求苛刻的嵌入式应用需求。
该芯片工作电压范围为1.7V至2V，有助于实现低功耗设计，并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，符合工业级应用标准。其并行接口提供了高效的数据吞吐能力，主要面向需要快速代码执行（XIP）和数据存储的网络、汽车电子及工业控制等领域。
- 型号:M58WR064KB7AZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 想获取M58WR064KB7AZB6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
