MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用64M x 16位的并行架构。该器件基于非易失性存储技术，数据在断电后不会丢失，为核心程序代码和用户数据提供了可靠的存储介质。

其核心优势在于宽泛的工作条件与工业级的可靠性。芯片支持1.7V至1.95V的低电压供电，并能在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定运行，满足严苛环境应用需求。采用63-VFBGA表面贴装封装和卷带包装，兼顾了小型化设计与自动化生产要求。

• 制造商产品型号：MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• 想获取MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料