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MICRON
MT41K512M16VRN-107 IT:P TR的图片

MT41K512M16VRN-107 IT:P TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K512M16VRN-107 IT:P TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K512M16VRN-107 IT:P TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K512M16VRN-107 IT:P TR是美光科技推出的一款8Gb容量、16位宽的DDR3L SDRAM存储器。该器件采用先进的工艺和架构,在933MHz的时钟频率下可实现高达1866 MT/s的数据传输速率,同时其1.283V~1.45V的低工作电压范围显著优化了系统功耗。

其核心卖点在于集成了高性能与高可靠性。该芯片符合AEC-Q100汽车级标准,工作温度范围达-40°C至95°C(TC),并采用96-TFBGA封装,专为应对汽车电子、工业控制等严苛环境下的振动、温度挑战而设计,为关键应用提供稳定、持久的内存支持。

  • 型号:MT41K512M16VRN-107 IT:P TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K512M16VRN-107 IT:P TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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