MT29F1G16ABBEAH4:E 是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存存储器，采用16位并行接口。其核心卖点在于64M x 16位的存储组织方式，提供了便捷的字节/字访问模式，以及1.7V ~ 1.95V的低工作电压，有利于降低系统整体功耗。
该器件采用63-VFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。作为非易失性闪存，它能够在断电后永久保存数据，主要面向需要固件存储或数据记录的嵌入式应用。其并联接口设计简化了与微控制器的连接，提供了直接、高效的数据通路。
- 型号:MT29F1G16ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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