MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR 是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存，其核心卖点在于支持1.7V至1.95V的低电压操作，有效降低系统功耗。

芯片设计适用于工业级环境，工作温度范围为-40°C至85°C（TA），提供高可靠性与耐用性。其130VFBGA封装和卷带（TR）包装形式便于自动化生产集成，主要面向需要稳定、中等容量存储的嵌入式应用，如工业控制、网络设备和汽车电子等领域。

• 制造商产品型号：MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（128M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 想获取MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料