MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR是一款由美光科技制造的4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和512M x 8位的存储结构。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后仍可保持，其闪存技术确保了可靠的数据存储能力。

该芯片的核心优势在于其2.7V至3.6V的宽工作电压以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，这为在电源环境复杂或温度条件苛刻的应用中提供了稳定的运行保障。其63-VFBGA表面贴装封装形式，适合高密度电路板设计，并支持自动化生产。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• 想获取MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料