MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 8位的内部架构和并行接口。该器件设计用于提供可靠的非易失性数据存储解决方案。
其核心优势在于支持1.7V至1.95V的宽电压供电和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在低功耗设计和恶劣环境下的稳定运行。芯片采用63-VFBGA封装，以卷带形式提供，适合表面贴装和高密度PCB布局。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
