MT29F1G08ABBDAHC:D

MT29F1G08ABBDAHC:D是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和非易失性存储技术。该器件以63-VFBGA表面贴装形式封装，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于商业温度环境（0°C至70°C）。

其核心优势在于通过并行接口架构提供高效的数据传输能力，适合对数据吞吐量有要求的嵌入式存储应用。作为一款成熟的闪存解决方案，它为需要可靠、持久化数据存储的各类电子设备提供了基础支持。

• 型号:MT29F1G08ABBDAHC:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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