MT44K64M18RB-083E:A TR

MT44K64M18RB-083E:A TR是美光科技推出的一款RLDRAM 3易失性存储器，采用并联接口，总容量为1.125Gb（64Mb x 18）。该器件专为需要极低延迟和高带宽的应用而设计。

其核心性能优势体现在高达1200MHz的时钟频率和仅7.5ns的访问时间，这使其在数据处理响应速度上具有显著优势。该芯片采用1.28V~1.42V供电，168-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于严苛的工业环境。

• 型号:MT44K64M18RB-083E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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