MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，可在断电后永久保存数据，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统设计的电源适应性。
该芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持卷带包装，适合自动化生产。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备工业级可靠性，核心卖点在于其适中的存储容量、稳定的并行接口以及宽广的工业温度支持，为嵌入式系统提供了经济高效的基础存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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