MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR是美光科技推出的一款1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，采用NAND闪存技术，确保数据在断电后持久保存，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统设计的灵活性。
该芯片核心卖点在于其并联存储器接口，能够提供高效的数据吞吐能力，适用于需要快速进行大数据块读写操作的场景。同时，其支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，并采用表面贴装形式，满足了严苛环境应用和紧凑型PCB布局的设计要求，是工业控制、网络设备和消费电子等领域中可靠的代码与数据存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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