MT29F1G08ABADAWP-E:D是美光科技推出的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片。其核心架构组织为128M x 8位，采用主流的非易失性存储技术，确保数据在断电后不丢失。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并采用48-TSOP表面贴装封装，便于集成。其并行接口提供了直接的控制路径，适用于需要通过成熟、稳定存储方案进行固件存储或数据记录的传统嵌入式设计，尤其是在商业温度范围（0°C至70°C）内运行的应用。
- 型号:MT29F1G08ABADAWP-E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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