MT29F1G08ABADAH4-ITE:D是美光科技推出的一款1Gb（128M x 8位）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不丢失，其核心架构针对高密度数据存储进行了优化。
该芯片设计用于在2.7V至3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，展现出良好的环境适应性。其63-VFBGA表面贴装封装形式，适合空间紧凑的嵌入式系统设计。作为一款已停产的成熟产品，它主要面向需要高可靠性、长期供应保障的工业控制、通信设备及汽车电子等嵌入式存储应用。
- 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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