MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR

MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR是美光科技推出的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用3D TLC NAND技术和并行接口。其核心卖点在于将高密度存储与高性能相结合，支持高达333MHz的时钟频率，能够满足高速数据吞吐的应用需求。

该芯片工作电压为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在广泛商业及工业环境中的兼容性与可靠性。其非易失特性与并行接口设计，使其成为大容量数据存储和缓存应用的基石元器件。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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