MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR是美光科技生产的一款16Gb(2G x 8位)容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术,数据在断电后不会丢失,其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了其在各种嵌入式系统中的电源兼容性。
芯片采用表面贴装型的模具封装,适用于高密度PCB组装,工作温度范围为0°C至70°C,满足商用环境要求。其核心价值在于提供了经过市场验证的大容量、可靠的并行闪存存储解决方案,适用于需要稳定数据存储的各类电子设备。
- 型号:MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
- 想获取MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料