MT28F640J3BS-115 GMET TR

MT28F640J3BS-115 GMET TR是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，提供8M x 8位或4M x 16位两种可配置的存储结构。该器件采用非易失性闪存技术，确保数据在断电后永久保存，其115纳秒的访问时间能满足多种嵌入式系统对代码执行和数据读取的速度要求。

芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑系统，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。它采用64-FBGA表面贴装封装，适用于空间受限的PCB设计。尽管产品状态已标注为停产，但其在要求可靠性和长期稳定性的工业控制、网络通信等传统应用领域中，仍是一个经过充分验证的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT28F640J3BS-115 GMET TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存
• 存储容量：64Mb（8M x 8，4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：115ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-FBGA
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