MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和152球TBGA表面贴装封装。该器件基于闪存技术，属于非易失性存储器，可在断电后持久保存数据。

其核心参数包括64G x 8位的内部组织、2.7V至3.6V的宽电压供电范围以及高达167MHz的时钟频率，这些特性共同保障了高速的数据传输与处理能力。芯片工作于0°C至70°C的商业温度范围，并以卷带形式提供，适用于自动化生产。这些特点使其成为大容量、高性能数据存储解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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