MT29E512G08CMCCBH7-6:C 是美光科技生产的一款512Gb(64GB)容量NAND闪存芯片,采用152球TBGA封装和并联接口。其核心卖点在于集成了高密度存储单元,提供高达512Gb的非易失性存储空间,并支持167MHz的时钟频率,为实现高速数据读写提供了硬件基础。
该器件工作电压为2.7V至3.6V,兼容工业标准3.3V电源系统,工作温度范围覆盖0°C至70°C,适用于广泛的商业及工业嵌入式环境。其并行接口架构便于系统集成,旨在满足对大容量、高性能固态存储有严格要求的应用设计。
- 型号:MT29E512G08CMCCBH7-6:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:152-TBGA
- 想获取MT29E512G08CMCCBH7-6:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料