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MICRON
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT的图片

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 137TFBGA
原厂封装:封装:137-TFBGA(10.5x13)
优势价格,MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT是美光科技的一款1Gb容量混合存储器,采用137-TFBGA封装。它将NAND闪存与移动LPDRAM集成于单一芯片内,NAND部分提供128M x 8位的非易失性存储,而LPDRAM部分提供32M x 32位的高速易失性存储,两者通过并联接口与主控连接。

该器件核心优势在于其高集成度与能效比。1.7V至1.95V的低电压供电和166MHz的LPDRAM时钟频率,使其特别适合对功耗和空间有严格限制的嵌入式应用。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)确保了在恶劣环境下的可靠性,为系统设计提供了存储与内存一体化的精简解决方案。

  • 型号:MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 137TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:1Gb(NAND),1Gb(LPDRAM)
  • 存储器组织:128M x 8(NAND),32M x 32(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:137-TFBGA
  • 供应商器件封装:137-TFBGA(10.5x13)
  • 想获取MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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