MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用152-TBGA封装和并联接口。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，核心配置为64G x 8位组织架构，工作电压支持2.7V至3.6V范围，并可在0°C至70°C的环境温度下稳定运行。

其关键性能指标包括高达167MHz的时钟频率，这为需要高带宽数据传输的应用提供了基础。该芯片适用于表面贴装工艺，主要面向大容量存储解决方案，例如固态硬盘和各类嵌入式存储系统。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在选型时应考虑其生命周期和供应链连续性。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-TBGA
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