MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR 是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与132-TBGA封装。其核心卖点在于集成了32G x 8位的高密度存储阵列，工作电压为2.7V~3.6V，并支持高达167MHz的时钟频率，能够实现高速数据吞吐，满足对带宽有严格要求的存储应用。
该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）和表面贴装设计，使其适合集成到各类需要大容量、可靠存储的电子系统中，如固态硬盘、工业控制设备和数据记录仪等。
- 型号:MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-TBGA
- 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
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