MT41K256M8DA-125:K TR是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以256M x 8的组织形式，提供了高效的数据存储结构，其核心优势在于800MHz的时钟频率和1.35V的低工作电压，在实现高达1600MT/s数据传输速率的同时，显著降低了系统功耗。
该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的宽工作温度范围，并具备优化的访问时间（13.75ns）和信号完整性管理功能，如片上终端（ODT）。这些特性使其成为需要在紧凑空间内实现高带宽、低功耗内存解决方案的各类嵌入式及消费电子应用的理想选择。
- 型号:MT41K256M8DA-125:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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