MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR是美光科技推出的一款3Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口与333MHz时钟频率设计，提供高带宽数据读写能力。其基于3D NAND技术，以384G x 8的架构实现高存储密度，适用于大容量数据存储需求。
该器件工作电压为2.5V至3.6V，支持商业级温度范围（0°C至70°C），具备非易失性存储特性。产品以卷带形式供应，主要面向企业存储、高性能计算等需要高速、大容量闪存解决方案的领域。
- 型号:MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:3Tb
- 存储器组织:384G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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