MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR

MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR是一款由美光科技制造的64Gb（8G x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和132-VBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围与333MHz的时钟频率相结合，旨在实现高速数据传输，满足对性能有要求的嵌入式存储应用。

该芯片适用于表面贴装型设计，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业及工业温度环境下的稳定运行。其卷带（TR）包装形式便于自动化生产，而8位并联的存储器接口则为系统设计提供了高效的并行数据通路，是构建大容量、高性价比存储解决方案的核心器件。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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