MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R是美光科技生产的一款64Gb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用8位I/O的并联接口，内部组织为8G x 8的架构，工作电压范围为2.7V至3.6V，可在0°C至70°C的商用温度环境下稳定工作。
该芯片基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储能力。其核心优势在于通过并行数据传输接口与成熟的MLC NAND存储方案，在嵌入式系统中实现高密度、成本优化的数据存储解决方案，适用于需要本地大容量存储的各类电子设备。
- 型号:MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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