MT29E256G08CECCBH6-6:C TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和152-VBGA封装。该器件基于Toggle DDR架构，支持高达167MHz的时钟频率，能够实现高速数据读写，满足对带宽有较高要求的应用场景。
其核心参数包括32G x 8位的存储组织方式、2.7V至3.6V的宽电压供电范围以及0°C至70°C的商业级工作温度范围。这些特性使其在提供大容量非易失性存储的同时，兼顾了性能、功耗与集成便利性，适用于各类嵌入式存储解决方案。
- 型号:MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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