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MICRON
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR的图片

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR是美光科技生产的一款8Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用256M x 32位的内部架构,在1866MHz的时钟频率下运行,可实现高达3733 MT/s的数据速率,为系统提供高带宽内存访问能力。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的结合。工作电压仅为1.1V,并支持移动LPDDR4标准中的多种节能状态,显著降低了整体功耗。器件采用200-WFBGA小型化封装,工作温度范围覆盖-30°C至85°C(TC),适合对空间、功耗和可靠性有严格要求的移动及嵌入式应用场景。

  • 型号:MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 想获取MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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