MT49H16M18CFM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM存储器，采用16M x 18的存储结构。该器件封装为144-TFBGA，支持表面贴装，其并联接口可在300MHz时钟频率下工作，访问时间为20ns，提供了较高的数据吞吐性能。
其核心工作电压范围为1.7V至1.9V，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在多种嵌入式环境下的稳定性和可靠性。该产品以卷带形式提供，适用于自动化生产。需要指出的是，此型号目前已处于停产状态。
- 型号:MT49H16M18CFM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
- 想获取MT49H16M18CFM-33:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
