MT29E128G08CECDBJ4-6:D是美光科技生产的一款128Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度满足0°C至70°C的商业级标准，提供了紧凑的物理尺寸和良好的环境适应性。
其核心卖点在于16G x 8位组织结构的128Gb大容量存储，以及非易失性数据保持特性，适用于需要可靠、大容量数据存储的嵌入式系统。作为一款并联接口闪存，它优化了大数据块的顺序读写性能，适合作为固件存储、数据记录或系统启动介质，应用于工业控制、网络设备等相关领域。
- 型号:MT29E128G08CECDBJ4-6:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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