MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR是美光科技生产的一款2Gb容量、32位宽的移动低功耗DDR（LPDDR）SDRAM。该器件采用并联接口，最高时钟频率为208MHz，在DDR模式下可实现高效数据传输，其核心优势在于1.7V至1.95V的低工作电压范围，专为优化功耗而设计，适用于电池敏感的便携式设备。
该芯片提供64M x 32的组织结构，访问时间为5ns，具备快速的读写响应能力。其封装形式为90-VFBGA，属于表面贴装型，适合紧凑的PCB空间布局。产品支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业及汽车等严苛环境的应用需求。尽管状态为停产，它仍代表了其在生命周期内为高性能嵌入式系统提供的可靠、低功耗存储解决方案。
- 型号:MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:90-VFBGA（8x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:64M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:208 MHz
- 写周期时间 - 字，页:14.4ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:90-VFBGA
- 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
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