MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 16位的组织架构和异步并行接口。该器件工作电压为2.7V至3.6V，提供非易失性数据存储，适用于需要可靠代码与数据存储的嵌入式系统。
其采用48-TSOP表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。该芯片作为成熟的并行NAND闪存解决方案，适用于工业控制、网络设备等对长期数据保存有要求的应用领域。
- 型号:MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
