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MICRON
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT的图片

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
原厂封装:封装:137-VFBGA(13x10.5)
优势价格,MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT是美光科技推出的一款集成式存储器解决方案,在一个137-VFBGA封装内同时封装了4Gb NAND闪存和4Gb移动LPDRAM。这种设计实现了非易失性数据存储与高速易失性工作内存的物理集成,显著节省了PCB空间并优化了系统功耗。

该芯片的NAND部分组织为256M x 16位,LPDRAM部分组织为128M x 32位,两者通过并联接口通信。LPDRAM内核支持200MHz时钟频率,配合1.7V至1.95V的宽电压供电,为移动和嵌入式设备提供了高效的数据处理与缓存能力。其工作温度范围为-25°C至85°C,适用于对尺寸和能效有严格要求的应用环境。

  • 型号:MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:137-VFBGA(13x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:137-VFBGA
  • 供应商器件封装:137-VFBGA(13x10.5)
  • 想获取MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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