MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR是美光科技推出的一款高集成度复合存储器芯片，采用162-VFBGA封装。它将4Gb NAND闪存（512M x 8）与2Gb LPDDR2 SDRAM（128M x 16）整合于单一封装内，实现了非易失性存储与高速易失性内存的物理集成。
该器件核心优势在于其高密度集成与低功耗特性。LPDDR2部分运行频率达533MHz，提供快速数据存取能力，而1.7V~1.9V的工作电压范围则优化了能效。其支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行，为空间受限的嵌入式设计提供了可靠的存储解决方案。
- 型号:MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），128M x 16（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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