MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR是美光科技生产的一款4Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率高达333MHz。其核心架构为512G x 8的组织形式，在提供海量非易失性存储空间的同时，确保了高速的数据访问能力。

该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，可在0°C至70°C的环境温度下稳定运行，具备良好的电源适应性和环境鲁棒性。这些参数共同构成了其高密度、高性能、高可靠性的核心卖点，旨在满足数据中心、企业存储及高端嵌入式系统等领域对大规模、高速数据存储的严苛需求。

• 制造商产品型号：MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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